Destacamos neste artigo os transistores de efeito de campo de potência de carboneto de silício (SiC) UF4SC120023B75-G4. Os FETs de carboneto de silicio (SiC) da Qorvo são dispositivos com tensão máxima de 1200V, e apenas 23mΩ de resistência de condução, baseados em uma configuração de circuito 'cascode' exclusiva.
O invólucro é D PAK-7L conforme mostra a figura 1.
Conforme podemos ver pelo diagrama equivalente temos num mesmo invólucro um JFET com Um MOSFET de silício de modo a se obter um componente completo, um MOSFET SiC de potência, com a configuração indicada na figura 2
O circuito tem uma operação normalmente desligado com proteção inversa por diodo e diodos de proteção no gate.
Suas características de recuperação inversa oi tornam ideal para comutação de cargas indutivas;
No link no final do artigo podemos acessar tanto as características básicas e venda como o datasheet através da Mouser.
A corrente máxima contínua é de 72 V e a tensão de gate fica entre – 20 e + 20 V. Em regime pulsante, a correte alcança 204 A;
CARACTERÍSTICAS
- Resistência típica de 23mW
- +175°C temperatura máxima de operação
- Excelente recuperação reversa de 243nC
- Diodo corporal baixo de 1,2V
- Carga de gate no nível baixo de 37,8nC
- Tensão limite típica de 4,8V permitindo acionamento de 0V a 15V
- Baixa capacitância intrínseca
- Proteção ESD HBM classe 2 e CDM classe C3
- Invólucro D2PAK-7L para comutação mais rápida e formas de onda de gate limpas
- Sem chumbo, sem halogênio e em conformidade com RoHS
Aplicações
- Carregamento de veículos elétricos
- Inversores fotovoltaicos
- Fontes de alimentação comutadas
- Módulos de correção de fator de potência
- Aquecimento por indução
Mais informações:
https://br.mouser.com/new/qorvo/qorvo-uf4sc120023b7s-fets/
