Os diodos de barreira Schottky (SBDs) de carboneto de silício Sanan Semiconductor (SiC) são desenvolvidos usando a avançada tecnologia SiC SBD de 3ª geração da Sanan com alto desempenho e confiabilidade. Esses SBDs registram maior eficiência, temperaturas de operação mais altas e perdas mais baixas e operam em frequências mais altas do que as soluções baseadas em Si. A estrutura Schottky não apresenta recuperação no desligamento e permite uma baixa corrente de fuga com tensão reversa de até 1200V. Pode contribuir para a miniaturização do sistema e alcançar um design de sistema leve. Usando componentes compatíveis com RoHS, os SBDs SiC da Sanan Semiconductor são qualificados para aplicações industriais.
