Os módulos MOSFET SanRex FCA 2 em 1 de carboneto de silício (SiC) apresentam tensão máxima de 1200 V e alcançam alta confiabilidade e baixa perda. Esses módulos MOSFET exibem uma Rds(on) baixa e apresentam de porta segura, tolerância a curto-circuito e baixa perda de energia. Os módulos SiC MOSFET usam um pacote de molde de transferência que é compacto e tem excelente confiabilidade de longo prazo e são equipados com um diodo embutido (não diodo do corpo) chamado “DIO-MOS” que elimina a necessidade de um externodiodo externo. A corrente de dreno do módulo FCA150AC120 é Is = 150A (@ Tc = 90 ° C) que pode atingir Id = 358A (Typ. @ Tc = 90° C) no modo de comutação suave. Considerando que a corrente de drenagem do módulo FCA100AC120 é Is = 100A (@ Tc = 90°C) que pode comutar até Id = 210A (Typ. @ Tc = 90°C) com base no cálculo SanRex. A placa de de avaliação também está disponível mediante solicitação
