Os foto-diodos podem ser usados no sensoriamento de objetos em movimento, como chaves ópticas e encoders. No circuito apresentado na figura usamos um amplificador operacional para fornecer uma tensão de 10 V para cada microampère de corrente no sentido inverso no diodo usado como sensor.
O circuito integrado usado é um LM108 que utiliza dois tipos de transistores NPN no mesmo chip. Existem supertransistores com ganhos de 5000 e uma tensão de ruptura de 4 V e transistores convencionais com ganhos de 200 vezes e uma tensão de ruptura de 80 V. A configuração desses transistores permite obter um alto grau de rejeição em modo comum com uma alta performance geral. Dessa forma é possível obter com transistores bipolares um desempenho até melhor do que os obtidos com amplificadores operacionais que usam transistores de efeito de campo. O circuito aceita duas formas de compensação de freqüência . Num deles basta conectar um capacitor de 30 pF entre a saída do segundo estágio amplificador e o terra e o segundo entre os terminais de compensação. O projeto que indicamos na figura usa o primeiro método de compensação e. O ganho do circuito pode ser alterado com a modificação dos valores de R1 e R2. Veja que são usados resistores de precisão para manter a resposta do circuito em 10 V /uA. A fonte de alimentação deve ser simétrica. A faixa de tensões de operação do circuito integrado vai de 5 a 20 V e a corrente máxima que se pode obter na saída com uma alimentação de 15 V chega aos 8 mA. A velocidade máxima de resposta, de alguns megahertz, depende do amplificador operacional usado.
