O Circuito mostrado na figura 1 se baseia no TDEO0160 da ST Microelectronics (www.st.com) e consiste num detector de proximidade que pode ser alimentado por tensões de +4 a +36 V com um consumo de apenas 1,2 ma. A resistência de perda é de 5 a 50 kOhms e a freqüência do oscilador é de 1 MHz. Os transistores de saída possuem uma capacidade de corrente de 20 mA com Vce(sat) de 1,1 A. O circuito é projetado para detectar corpos de metal pelo efeito das correntes de turbilhão que causa perdas de HF sensoriadas por uma bobina. O circuito possui dois transistores complementares com coletor aberto e um liite de histerese ajustável. Uma chave eletrônica é incorporada para fornecer o sinal de saída. O circuito integrado utilizado é fornecido em invólucro SO14 e além disso existe um diodo zener interno que a mantém constante a tensão do circuito. Na tabela damos os valores dos componentes para o circuito apresentado. Informações detalhadas para o projeto e mesmo outras configurações de circuito podem ser obtidas no data sheet disponível no site da ST Microelectronics.
Na figura 2 temos detalhes da construção do sensor com o seu circuito equivalente.
