Apresentamos dois circuitos para amplificação de sinais infravermelhos modulados os quais podem ser usados em controles remotos, links de dados e em aplicações semelhantes.
Os circuitos apresentados são sugeridos pela Texas Instruments (www.ti.com) utilizando foto-diodos de grande superfície e transistores de efeito de campo de junção.
O primeiro circuito é mostrado na figura 1 e utiliza o diodo no modo de operação por corrente de fuga.
Nele, os portadores de carga liberados pela incidência de radiação no diodo, fazem com que a corrente resultante gere um sinal sobre o resistor R1.
Esse sinal é aplicado à comporta do transistor de efeito de campo, sendo amplificado.
No segundo circuito, mostrado na figura 2, o diodo opera no modo gerador, ou seja, gerando uma tensão de sinal quando incide a radiação modulada.
Essa tensão aparece sobre o resistor de carga R1 e é aplicada à comporta do transistor de efeito de campo de junção via capacitor C1
Os valores dos resistores são determinados pelas características do sinal que deve ser captado e pelo foto-diodo usado.
Nos dois casos, os transistores de efeito de campo de junção admitem equivalentes.
