Nesta seção focalizamos circuitos práticos obtidos de datasheets e Application Notes de diversos fabricantes de semicondutores, módulos e outros componentes. Esta coletânea consiste numa excelente literatura de consulta para os projetistas que, baseados nas informações básicas que damos, podem consultar os documentos originais disponíveis na internet para um projeto mais elaborado.
Amplificador de Potência de 1,9 GHz com 3 V de alimentação
O documento original é da Philips, mas agora disponível pela NXP (www.nxp.com) que é a empresa de semicondutores que adquiriu os direitos da linha Philips. O circuito apresentado consiste num amplificador de RF para a faixa de 1880 a 1920 MHz podendo ser alimentado com tensões de 3,3 a 3,6 V.
O projeto é elaborado em torno dos transistores banda-larga BFG540/X e também de transistores de RF BFG10/X e BFG11/X. A potência de saída é de 26 dBm, com uma tensão de 3,6 V e 1900 MHz de freqüência. O amplificador proporciona um ganho de 25 dB com uma potência de 26 dBm. Se maior ganho for necessário, pode-se utilizar o transistor BFG505 adicionalmente. Com isso, um ganho adicional de 10 dB pode ser conseguido sem alteração significativa do rendimento.
Como o projeto é elaborado em torno de bipolar, não existem perdas de comutação como ocorre em projetos que utilizam FETs de GaAs. O circuito amplificador possui 3 estágios, com um BFG540 operando em classe A. No documento técnico (Application Report) da NXP é possível encontrar todas as características do projeto e também uma sugestão de placa de circuito impresso para a elaboração de um protótipo.
Amplificador Para Fones de 1 W de Potência
O circuito mostrado na figura 2 é sugerido pela ON Semiconductor (www.onsemi.com), baseado em seu circuito integrado NCP4896. Trata-se de um amplificador que pode fornecer 1 W de potência na configuração BTL com carga de 8 Ω a partir de alimentação de 5 V.
Este circuito também fornece 250 mW com alimentação de 2,6 V e 90 mW com carga de 32 Ω e alimentação de 5 V. O dispositivo fornece alta qualidade de áudio exigindo poucos componentes externos Também encontramos o recurso do shutdown para baixo consumo a partir de lógica externa. A faixa de tensões de alimentação é de 2,2 V a 5,5 V e o invólucro do circuito integrado é Flip-Chip de 9 pinos. O dispositivo também pode excitar cargas capacitivas até 1 nF e tenho configurável externamente. Como o circuito tem excelente PSRR ele pode ser alimentado diretamente por uma bateria sem a necessidade de se intercalar um LDO.
Detector de Proximidade
O Circuito mostrado na figura 3 se baseia no TDEO0160 da ST Microelectronics (www.st.com) e consiste num detector de proximidade que pode ser alimentado por tensões de +4 a +36 V com um consumo de apenas 1,2 ma. A resistência de perda é de 5 a 50 kΩ e a freqüência do oscilador é de 1 MHz. Os transistores de saída possuem uma capacidade de corrente de 20 mA com Vce(sat) de 1,1 A. O circuito é projetado para detectar corpos de metal pelo efeito das correntes de turbilhão que causa perdas de HF sensoriadas por uma bobina. O circuito possui dois transistores complementares com coletor aberto e um limite de histerese ajustável. Uma chave eletrônica é incorporada para fornecer o sinal de saída. O circuito integrado utilizado é fornecido em invólucro SO14 e, além disso existe um diodo zener interno que a mantém constante a tensão do circuito. Na tabela damos os valores dos componentes para o circuito apresentado. Informações detalhadas para o projeto e mesmo outras configurações de circuito podem ser obtidas no datasheet disponível no site da ST Microelectronics.
Na figura 4 temos detalhes da construção do sensor com o seu circuito equivalente.
Amplificador de Áudio 5 V x 60 mW com o HT82V732
Na figura 6 temos um amplificador de áudio indicado para aplicações portáteis tanto na versão mono como estéreo (BTL). O diagrama mostrado é para a versão estéreo, mas na documentação original da Holtek que fabrica o HT82V732, circuito integrado utilizado no projeto, pode ser encontrada a aplicação em ponte. O circuito integrado é fornecido em invólucro SOP de 8 pinos. A faixa passante é de 20 kHz e o ganho sem realimentação é de 70 dB. Na figura 5 temos a pinagem do CI utilizado.
LDO de 150 mA com o TPS780 da Texas Instruments
A nova série de LDO (Low Dropout) TPS80 da Texas Instruments (www.ti.com) pode fornecer tensões de saída de 1,5 a 54,2 V fixos ou ajustável de 1,22 a 5,25 V com corrente máxima de saída de 150 mA. A queda de tensão é de apenas 200 mV com 200 mA de corrente de saída. A potência consumida é extremamente baixa, com uma corrente de apenas 500 nA. O circuito é estável com capacitores cerâmicos de 1 µF e além disso ele possui tanto proteção térmica como proteção contra sobrecorrente. Os invólucros do circuito integrado podem ser tanto o TSOT23-5 como o SQN-5. Outra característica importante é a seleção de dois níveis de tensão de saída, o que permite ao projetista dirigir o projeto das fontes para aplicações específicas. A programação de tensão é feita por EPROM. Os leitores interessados em mais informações podem obter o datasheet diretamente no site da Texas Instruments. Na figura 7 temos o diagrama para um regulador ajustável, com a fórmula para o cálculo dos componentes que programam a tensão de saída.
Na tabela abaixo temos os valores de R1 e R2 para algumas tensões de saída.
Controle de motor de Passo com o SLA7032/33
O circuito apresentado na figura 8 é sugerido pela AllegroMicro (www.allegromicro.com) e consiste num controle de motor de passo ativo no nível alto. O circuito tem entrada compatível com sinais TTL e é ativo no nível alto. Mais informações sobre este e mais circuitos de aplicação podem ser obtidas no site da empresa. Para o SLA7032M a corrente de saída máxima é 1,5 A e para o SLA7033M a corrente máxima é de 3 A. Para os dois, a tensão máxima do motor é de 46 V e o componente é fornecido em invólucro SIL de 18 pinos.
