Em alarmes é preciso contar com sirenes fortes e que possam ser facilmente controladas por circuitos externos. A sirene que apresentamos, além e destas características tem algo que é muito importante num projeto: pode ser disparada por lógica CMOS sem a necessidade de relé.

O interessante circuito de sirene que apresentamos se caracteriza pela elevada potência que pode entregar a um alto-falante pelo uso de um transistor de efeito de campo de potência. (MOSFET).

Além disso, esta sirene tem ajustes de tom, modulação e intermitência independentes, o que possibilita ao usuário ajustar o circuito para o melhor som.

Finalmente, esta sirene é habilitada diretamente por uma saída lógica CMOS sem a necessidade de relé, e na condição de espera seu consumo é extremamente baixo. Isso a torna ideal para circuitos de alarme alimentados por bateria ou ainda para uso automotivo.

A simplicidade do projeto permite ainda sua montagem numa caixa de reduzidas dimensões.

 

Características:

Tensão de alimentação: 6 V c.c. a 12 V c.c.

Corrente de repouso: inferior a 1 mA

Corrente em acionamento pleno: 2 A a 4 A

Potência de áudio: 10 a 20 W

 

Em termos de oscilador de baixo consumo e excelente desempenho, poucos circuitos integrados batem o 4093. Na verdade, suas quatro portas NAND independentes podem resultar em até. 4 osciladores diferentes, e com a possibilidade de comando externo.

Na figura 1 temos o diagrama completo da sirene.

 

   Figura 1 – Diagrama da sirene
Figura 1 – Diagrama da sirene

 

Neste circuito usamos duas portas como osciladores e mais duas como buffers misturadores e amplificadores.

Desta forma, a primeira porta (C11-b) é o oscilador de modulação, que determina a cadência dos toques ou suas variações. Neste circuito P1 determina a freqüência, juntamente com C1, enquanto que P2 determina a profundidade da modulação.

Na verdade podemos até modificar o efeito, “suavizando" a modulação com a ligação de um capacitor de 1 uF a 22 uF entre a junção de P2 e R5 e o negativo (0 V) da alimentação.

O oscilador de áudio é formado- por CI1-b, e tem sua freqüência determinada por C2 e ajustada em P3.

Obtemos na saída deste oscilador um tom de áudio modulado que é levado às outras duas portas, que funcionam como um buffer (isolador) e amplificador digital. Os sinais entregues a este buffer podem ser controlados externamente pelo pino 5 do CI1-b.

Se este pino estiver no nível baixo, o que ocorre sem sinal de habilitação (H), já que R4 o mantém à terra, o oscilador CI b, não funciona. Se este pino for ao nível alto, a partir de uma saída CMOS, por exemplo, o oscilador entra em ação, sendo modulado por C113.

Na figura 2 temos a placa de circuito impresso para a montagem.

 

   Figura 2 – Placa para a montagem
Figura 2 – Placa para a montagem

 

 

 

Semicondutores:

Cl1 - 40938 – circuito integrado CMOS

Q1 - IRF64O ou equivalente - FET de potência

 

Resistores (1/8 W, 5%):

R1 R2, R3, R5 e R6 - 10 k ohms

R.4- 100 k ohms

R7 - 1 M ohms

P1, P2 - Trimpots de 1 M ohms

P3 - Trimpot de 100 k ohms

 

Capacitores:

C1 - 1 pF - eletrolítico

C2 - 47 nF - cerâmico ou de poliéster

C3 - 1000 pF - eletrolítico

 

Diversos:

FTE - 4 ou 8 ohms - alto-falante de 10 W ou mais.

 

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