A necessidade de dissipar potências elevadas faz com que os transistores de potência utilizem grandes invólucros que também fazem com este componente tenha seu custo aumentado.
No entanto, a Efficient Power Conversion (http://epc-co.com/epc) anunciou em agosto último o fim do invólucro para os transistores de potência e circuitos integrados que contém estes elementos.
Levando ema conta que, além de aumentar o custo e tamanho dos componentes, os invólucros possuem uma resistência térmica que reduz sua eficiência na dissipação de calor, terminais que representam resistências ôhmicas responsáveis por perdas e que ainda possuem uma certa indutância, importante nos circuitos de alta frequências, a EPC desenvolveu uma nova tecnologia que elimina o invólucro.
A ideia é eliminar o invólucro tornando possível utilizar diretamente a pastilha do componente, conforme mostra a foto. A ideia é proteger, durante o processo de fabricação do componente, com uma camada de vidro e plástico.
Desta forma, apenas os terminais ficam livres para soldagem direta. O chip mostrado na foto é um Array de eGaN FETs medindo apenas 4,6 mm x 1,7 mm e com capacidade de conduzir 33 ADC.
O novo formato denominado LGA (Land Grid Array) tem perdas de apenas 18% no “invólucroi”quando comparado com 82% do SO-8, 73%, do LFPAK e 47% do DirectFET.
