Peso pesado da indústria combina suas forças em MEMS e no setor automotivo – nova família de sensores de aceleração high-g é lançada para sistemas avançados de airbags – AIS1xxDS.
A STMicroelectronics (NYSE: STM), líder em CIs automotivos e sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), introduziu uma nova família de sensores de aceleração high-g para sistemas avançados de airbags. Esses dispositivos micro-usinados detectam a desaceleração rápida do veículo durante uma batida e enviam informações instantâneas para a unidade de controle do airbag.
Os fabricantes de sistemas de airbags vão se beneficiar da sólida combinação da liderança da ST em MEMS com seu vasto conhecimento do mercado automotivo, das ótimas relações com as principais montadoras e do permanente compromisso com a qualidade. Comparada com outros fornecedores, a ST oferece capacidade de produção em grande escala em sua fábrica dedicada de MEMs em wafers de 8 polegadas, juntamente com as avançadas capacidades de projetos de sensores de movimento e de testes.
Os acelerômetros de sensores periféricos AIS1xxxDS oferecem recursos de sensoriamento de movimento de um eixo in-plane em quatro escalas completas, de ±20 g até ±400 g[1]. Uma interface de CI on-chip converte os dados da desaceleração em um fluxo digital de bits de alta resolução, que é transmitido de forma altamente confiável para um chip de microcontrolador dedicado através do protocolo padrão DSI². Algoritmos sofisticados avaliam a situação e decidem se devem ou não disparar o airbag em poucos milissegundos.
Os novos acelerômetros high-g da ST operam dentro de uma vasta faixa de temperatura, de -40 a 125°C. Robustos com relação a interferências eletromagnéticas são qualificados para a AEC-Q100, uma qualificação crítica de teste de estresse para circuitos integrados automotivos, estabelecida pelo Automotive Electronics Council (AEC).
A parte de sensoriamento do acelerômetro para airbags é fabricada na linha MEMs de 8 polegadas da ST, que até hoje já produziu mais de 1 bilhão de sensores de movimento. A parte elétrica se beneficia do alto nível de integração e o controle específico de correntes parasitas viabiliza a tecnologia Silicon-On-Insulator no processo de manufatura da companhia, o BCD3.
As amostras dos sensores de aceleração periférica AIS1xxxDS da ST estão disponíveis e a produção em grande escala está programada para 2012. O preço unitário é US$3 (ex-works EUA) para lotes na faixa de 1.000 unidades. Há mais opções de preços para quantidades maiores.
Para mais informações sobre o portfólio MEMs completo da ST, consulte www.st.com/mems.
[1] Seres humanos podem tolerar forças pontuais da ordem de centenas de g por uma fração de segundos; contudo, forças maiores que 10g por períodos prolongados podem ser letais ou causar danos permanentes.
2 DSI (Distributed Systems Interface), Interface de Sistemas Distribuídos é um padrão aberto de protocolo de barramento projetado para interconectar múltiplos sensores e atuadores remotos a um módulo central de controle.
3 Bipolar-CMOS-DMOS.
Mais informações:
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