Uma junção semicondutora polarizada no sentido inversor apresenta uma resistência que depende da quantidade de portadores de carga liberados pelo efeito térmico. Mas, os portadores de carga também podem ser liberados por radiação externa como, por exemplo, a luz. Este efeito é usado nos foto-diodos que são dispositivos com uma resistência inversa dependente da quantidade de luz que recebem. A figura abaixo mostra um circuito típico do foto-diodo operando no modo condutivo. As fórmulas seguintes permitem calcular o desempenho deste componente nos circuitos. Observamos que, sem a polarização externa, o foto-diodo opera como uma foto-célula gerando uma pequena tensão ao receber luz e, neste caso, são válidas as fórmulas dadas para as foto-células.
Fórmula 1
Foto-corrente em função da potência radiante
Onde:
Ip é a foto-corrente em miliampères ou microampères (mA ou µA)
s é a foto-sensibilidade espectral em miliampères por lúmen (mA/lm)
φ é a potência radiante do fluxo luminoso em lumens (lm)
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