Quando analisamos uma forma de onda, deformações de todos os tipos, pontos especiais de referência, amplitudes e outras características precisam ser especificados. Para essa finalidade existe uma terminologia própria em inglês que os profissionais da eletrônica precisam conhecer, principalmente os que estão diretamente ligados à trabalhos em telecomunicações. É justamente dessa terminologia que vamos tratar nesta seção.
Uma corrente ou tensão num circuito que varia de intensidade de forma periódica com o tempo é um sinal. Os sinais podem ter as mais diversas formas de onda e isso nos leva à necessidade de especificar suas características tendo em conta pontos especiais de sua forma.
Assim, para o profissional da eletrônica é muito importante saber o que significa uma especificação referente a um sinal, pois ela pode significar procedimentos de projeto ou mesmo de manutenção específicos.
Para mostrar as principais características de um sinal tomamos como exemplo um texto técnico em que termos e definições para transistores de potência (terms and definitions - power transistor) são analisados. Esse texto se encontra no "The Power Semiconductor Data Book" da Texas Instruments.
Partimos então da figura 1 em que as diversas especificações de um sinal são mostrados.
Vamos analisá-los um a um, de modo que fiquem bem claros para os leitor os termos em inglês usados. Um pequeno vocabulário será dado antes:
Vocabulário:
Root Mean Square Value - Valor Médio Quadrático (rms)
Alternating Current - Corrente alternada
Peak - Pico
Instantaneous - Instantâneo
Assim, observamos na forma de onda da figura 1 os seguintes valores:
a) Root Mean Square Value of Alternating Current - Valor médio quadrático da corrente alternada (rms). Esse valor dado por
Vrms = 0,707 = raiz(2)/2
Observe que esse termos pode ser aplicado tanto à tensões como também à correntes.
b) Maximum (Peak) Value of Alternating Current - Valor máximo (pico) de uma corrente alternada. Esse termo também pode ser aplicado tanto à correntes como tensões.
c) DC Value - no alternating current - Valor DC - nenhuma corrente alternada. É a componente contínua do sinal que pode ou não estar presente.
d) With alternating current - com corrente alternada - é o sinal com a componente DC mais a componente alternada.
Um outro termo que aparece nas especificações de transistores é a freqûência de transição ou transition frequency abreviada por fT. O seguinte texto fornece a definição desse termo:
"Transition Frequency - the product of the modulus (magnitude) of the common-emitter small-signal short-circuit forward current transfer ratio, hfe, and the frequency of measurement when this frequency is sufficiently high so that the modulus (magnitude) of hfe is decreasing with a slope of approximately 6 db per octave"- The Power Semiconductor Data Book - Texas Instruments.
Vocabulário:
Transition - transição
Modulus - módulo, intensidade, valor absoluto
Forward - direta
Ratio - relação
Measurement - medida
Decreasing - decrescendo
Slope - inclinação
Observe em primeiro lugar o uso do hífen em palavras compostas como emissor comum (common-emitter), curto-circuito (short-circuit) e pequeno sinal (small-sgnal).
A definição pode ser simplificada dizendo-se simplesmente que a freqüência de transição é aquela em que o ganho do transistor cai abaixo da unidade (menor que 1).
Outro ponto importante que o leitor deve observar nesse texto é que o ganho de um transistor ou "beta" é dado com letras minúsculas (hfe).
Usamos hFE para ganho estático que é o ganho que o transistor apresenta quando amplificando uma corrente contínua. O termo hfe refere-se ao ganho dinâmico do transistor.
Podemos então traduzir o texto acima da seguinte forma:
"Freqüência de transição - o produto do módulo (intensidade) da relação de transferência na configuração de emissor comum para sinais de pequena intensidade em curto-circuito, hfe, e a freqüência da medida, quando essa freqüência é suficientemente alta tal que o módulo (magnitude) de hfe decresça com uma rampa de aproximadamente 6 dB por oitava".
Acrônimos
BJT - Bipolar Junction Transistor - Transistor Bipolar de Junção
CCD - Charged-Coupled Device - Dispositivo Acoplado por Carga
CMOS - Complementatry Metal-Oxide Semiconductor - Semiconductor Complementar de Metal-Óxido
CRT - Cathode Ray Tube - Tubo de raios catódicos
FET - Field Effect Transistor - Transistor de efeito de campo
I2K - Integrated-Injection Logic - Lógica por Injeção integrada
IC - Integrated Circuit - Circuito integrado
IGFET - Insulated-Gate Field Effect Transistor - Transistor de efeito de campo de comporta isolada
JFET - Junction FET - Transistor de efeito de campo de junção
LED - Light-Emitting Diode - Diodo emissor de luz
LSI - Large-Scale Integration - Integração de larga escala
MISFET - Metal-Insulator-Semiconductor FET - FET de semiconductor metal-isolador.
MOS - Metal-Oxide Semiconductor - Semiconductor de metal-óxido
MOST - Metal-Oxide Transistor - Transistor de Metal-Öxido
SCR - Silicon Controlled Rectifier - Retificador (diodo) controlado de silício
SOS - Silicon-on-Saphira - SIlicio sobre safira
UJT - Unijunction Transistor - Transistor unijunção
