Transistor de efeito de campo de canal para amplificadores de VHF e µHF.
Características:
VDS (V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V
Plot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW
Idss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 - 18 mA
lgss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 nA
st . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4,5 mA/V
Crs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7 pF
F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7,5 dB
Encapsulamento: SOT - 54(6)
BF256
