Transistor de efeito de campo de potência (TMOS) em invólucro TO220.
Características:
Vdss ..................................... 100 V c.c (max)
Vdg, ..................................... .100 V c.c (max)
Vgs ..................................... ..20-0-20 V (max)
ld ........................................ ..4,0 A c.c (max)
Pd , ..............................................20 W (max)
IRF510
