Este é o acrônimo para Isolated-Gate Bipolar Transistor. Trata-se de um semicondutor que é metade FET e metade bipolar. Nele, a corrente principal é conduzida entre um coletor e um emissor como num transistor bipolar, mas esta corrente é controlada por uma tensão aplicada numa comporta, como num FET. Os IGBTs reúnem as vantagens dos dois componentes e por isso podem ser usados no controle de dispositivos de potência, sendo encontrados principalmente em aplicações industriais. IGBTs são usados para controlar solenóides, motores, em fontes chaveadas e em muitas outras aplicações importantes onde o controle de altas correntes a partir de tensões é necessário.
O símbolo adotado para representar um IGBT é mostrado na figura 1.
O aspecto externo é o mesmo de qualquer transistor de potência comum (Bipolar ou Power MOSFET) de modo que, para saber se é um IGBTs, temos de nos basear no seu número de fábrica. Os IGBTs são identificados por números de fábrica. A partir deles podemos obter suas principais características elétricas que são:
a)Tensão máxima entre coletor e emissor (Vce(max))
É a máxima tensão que pode ser aplicada ao dispositivo.
b)Corrente máxima de coletor (Ic(max))
É a máxima corrente que o componente pode conduzir quando chaveado.
c)Potência de dissipação (Pd)
É a máxima quantidade de energia que pode ser convertida em calor em cada segundo (em watts).
Os IGBTs são encontrados principalmente em máquinas industriais, inversores de potência e em outros dispositivos de comutação de alta potência. Os IGBTs são sempre montados em dissipadores de calor. Em muitos casos, os IGBTs podem substituir diretamente Power MOSFETs. Por não serem muito comuns e mais usados em aplicações profissionais, os IGBTs são conseguidos apenas de fornecedores de maior porte ou especializados em eletrônica industrial.
