Aplicações para a excitação dos MOSFETs de potência em ambientes sensíveis a transientes e ruídos exigem dispositivos com alta capacidade de isolamento. A melhor maneira se se obter um isolamento galvânico total é com o uso de dispositivos ópticos. Neste artigo falaremos de um dispositivo especial para esta tarefa recomendado pela TME.
Para este tipo de aplicação destacamos o FDA217 da Ixis um foto-driver duplo com uma capacidade de isolamento de 3 750 Vrms entre a entrada e a saída.
Mais informações podem ser obtidas no site da TME em:
https://www.tme.com/Document/54650f853b83566909fddbb43e424df2/FDA217.pdf
O sinal do fotodiodo é controlado por um LED de alta eficiência com características que permitem a excitação direta de MOSFETs de alta potência.
Uma característica importante deste componente é a presença de um circuito que descarrega a comporta do MPOSFET quando a corrente de excitação do LED é cortada. Esse recurso elimina a necessidade de se usar componentes externos para esta função.
O FDA217 é oferecido em 3 configurações diferentes dada pela tabela abaixo:
Dentre as aplicações recomendada para este componente podemos citar:
• Driver de MOSFET
• Controle Programável
• Controle de processo
• Instrumentação
• Telecomunicações
• Relés de Estado Sólido
• Comutação Isolada
• Fontes de alimentação flutuantes
Destaques:
* Saídas duplas independentes e flutuantes para configuração paralela, em série ou isolada
• Tensão de circuito aberto de 24,4 V na configuração em série
• Corrente de curto-circuito de 18,2A em configuração paralela
• Corrente de controle de 5mA • Circuito de desligamento integrado
• Alto isolamento de entrada para saída: 3750Vrms
• Substituição de componentes discretos
• Sem geração EMI/RFI
• Versão para montagem em superfície e fita e bobina disponíveis
• Classificação de inflamabilidade UL 94 V-0
No datasheet acessado pelo link podemos encontrar diversas curvas de performance além das características elétricas. Dentre essas informações destacamos a curva que nos dá o tempo de comutação em função da capacitância de carga.
